Μαζικές αποστολές ξεκίνησε από τον Φεβρουάριο η Samsung όσον αφορά την μνήμη HBM4 και έδωσε την υπόσχεση στους πελάτες της πως αργότερα θα μπορέσει να στείλει δείγματα της βελτιωμένης HBM4E. Όπως λέει και ο τίτλος, η νέα παραλλαγή έχει μεγαλύτερη χωρητικότητα με τον ίδιο σχεδιασμό 12 επιπέδων, προσφέρει υψηλότερο εύρος ζώνης και λειτουργεί πιο «δροσερά».
Ο σχεδιασμός του Samsung HBM4E διαθέτει αυτήν τη στιγμή διαμόρφωση 12 επιπέδων, η οποία φτάνει τα 48GB χωρητικότητας. Αυτή είναι αυξημένη από τα 36GB του HBM4. Η Samsung αναπτύσσει επίσης παραλλαγές 32GB (8 επιπέδων) και 64GB (16 επιπέδων) για να προσφέρει στους πελάτες της περισσότερες επιλογές κατά την κατασκευή των σχεδίων τους.

Εκτός από την αύξηση της χωρητικότητας κατά 33%, το HBM4E είναι περίπου 20% ταχύτερο – η ταχύτητα ανά ακίδα είναι πλέον 14Gbps, για συνολικά 3,6 terabyte ανά δευτερόλεπτο ανά στοίβα. Για λόγους σύγκρισης, το HBM4 έχει 11,7Gbps ανά ακίδα και 3,6 terabyte ανά δευτερόλεπτο ανά στοίβα.
Τεχνικά και μόνο, η νέα τεχνολογία HBM4E είναι ένας συνδυασμός της 6ης γενιάς «1c» (κλάσης 10nm) για τις μήτρες μνήμης και μιας λογικής βάσης 4nm. Η Samsung αναδιατύπωσε τον σχεδιασμό για να βελτιώσει την ενεργειακή απόδοση κατά 16% – αυτό σημαίνει ότι η μνήμη χρησιμοποιεί λιγότερη ενέργεια και παράγει λιγότερη θερμότητα. Αλλά είναι ακόμα καλύτερο – ο νέος σχεδιασμός μειώνει τη θερμική αντίσταση κατά τουλάχιστον 14%, επομένως η μνήμη ψύχεται και πιο εύκολα.
Για να μην υπάρξει καμία ανησυχία, η Samsung αναφέρει ότι η ικανότητά της να παράγει μνήμη HBM4 αυξάνεται και ότι η νέα HBM4E θα επιταχύνει ακόμη περισσότερο τα συστήματα τεχνητής νοημοσύνης. Ο σχεδιασμός έχει επίσης περιθώρια βελτίωσης – το εύρος ζώνης των 14Gbps μπορεί να αυξηθεί στα 16Gbps στο μέλλον.















